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ICP刻蚀机的测量与控制

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由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，气相化学沉积设备，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有：

虚拟测量（Virtual Metrology） 

等离子刻蚀过程控制示意图

光谱测量

等离子阻抗监控

终端探测

远程耦合传感

控制方法

run-to-run 控制（R2R） 

模型预测控制（MPC）

人工神经网络控制

化学气相沉积过程介绍

化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。通常沉积TiC或TiN，是向850~1100℃的反应室通入TiCl4，气相化学沉积设备价格，H2，CH4等气体，气相化学沉积设备报价，经化学反应，在基体表面形成覆层。

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化学气相沉积法在金属材料方面的使用

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化学气相沉积法生产金属铱高温涂层从20世纪80年代起，NASA 开始尝试使用金属有机化合物化学气相沉积法制取出使用铼基铱作为涂层的复合喷管，并获得了成功，这时化学气相沉积法在生产金属涂层领域才有了一定程度上的突破。

NASA 使用了C15H21IrO6作为制取铱涂层的材料，并利用 C15H21IrO6的热分解反应进行沉积。铱的沉积速度很快，可以达到3~20μm/h。 沉积厚度也达到了50μm，C15H21IrO6的制取效率达 70%以上。

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